Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Что такое деформация?

Внешнее усилие, прикладываемое к упругому материалу, создает механическое напряжение, которое, в свою очередь, вызывает деформацию материала. В случае, если приложено усилие растяжения, длина материала L увеличивается и становится равной L + ΔL. Отношение ΔL к L, т.е. ΔL/L, называется деформацией. С другой стороны, если приложено усилие сжатия, длина L уменьшается до значения L-ΔL. В этом случае деформация равна (-ΔL/L).

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Что такое тензорезистор?

Электрическое сопротивление металла изменяется пропорционально механической деформации, вызванной приложенным к металлу внешним усилием. При креплении тонкого слоя металла к объекту измерения поверх тонкого слоя диэлектрика, металл деформируется в зависимости от деформации объекта измерения и изменения его электрического сопротивления. Таким образом, тензорезистор – это чувствительный элемент, преобразующий собственную деформацию в изменение электрического сопротивления.

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Обычно тензорезисторы используются в трех целях:
• Определение степени изменения формы под действием деформации.
• Определение механического напряжения, вызванного деформацией, и запаса прочности материала или конструктивного элемента, в котором используется этот материал.
• Косвенное определение различных физических параметров путем их пересчета в деформацию.
Существует несколько способов механического и электрического измерения деформации, однако, чаще всего, механическое напряжение измеряют с помощью тензорезисторов из-за их превосходных измерительных характеристик.

Тензорезистор (strain gauge) – элемент, сопротивление которого меняется в зависимости от деформации.

Классификация тензорезисторов

По материалу чувствительного элемента (ЧЭ) тензорезисторы делятся на следующие группы:

  • фольговые – ЧЭ выполнен из тонкого слоя металла (фольги);
  • проволочные – ЧЭ выполнен из тонкой проволоки;
  • полупроводниковые – ЧЭ выполнен из пластины монокристалла полупроводника.

Чувствительный элемент фольговых и проволочных тензорезисторов называют чувствительной решеткой. В зависимости от количества чувствительных решеток и их положения различают следующие тензорезисторы:

  • одноэлементный (одиночный) – тензорезистор, состоящий из одной решетки для измерения деформации направленной в одном направлении (растяжение/сжатие);
  • многоэлементный (розетка, тензорозетка) – тензорезистор, состоящий из нескольких решеток для измерения деформации в двух или трех направлениях;
  • полумост – тензорезистор, состоящий из двух решеток, соединенных друг с другом, так что образуют половину измерительного моста;
  • полный мост – тензорезистор, состоящий из четырех решеток, соединенных друг с другом, так что образуют измерительный мост;
  • мембранный – тензорезистор, состоящий из нескольких решеток для измерения радиальных и тангенциальных деформаций;
  • цепочки тензорезисторов – тензорезистор, состоящий из нескольких решеток для измерения распределения деформаций по длине тензорезистора.

Условно графическое обозначение (УГО)

Внешний вид тензорезисторов определяется согласно ГОСТ 2.728-74 “ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Резисторы, конденсаторы”. Размеры прямоугольника такие же как и у постоянного резистора.

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Конструкция и принцип действия

Принцип действия тензорезисторов основан на изменении сопротивления проводника при изменении его длины и площади поперечного сечения.

Чувствительным элементом проволочных и фольговых тензорезисторов является чувствительная решетка.

Проволочные

Проволочные резисторы состоят из подложки (бумага, пленки из: полиуретана, полиимида, фенола и т.д.) на которую петлей уложена тонкая проволока, образующая чувствительную решетку. К концам проволоки как правило припаяны выводные проводники. Сверху проволока покрыта эластичным клеем.

Для измерения деформации подложка обратной стороной приклеивается к детали.

Фольговые тензорезисторы

Фольговые тензорезисторы состоят из подложки (бумага, пленки из: полиуретана, полиимида, фенола и т.д.), чувствительной решетки в виде тонкой фольги (толщина около 0,0035 мм) и припаянных выводов.

Чувствительную решетку изготавливают методом фотолитографии. Перед травлением фольгу покрывают тонким защитным слоем, так как в процессе травления фольга может легко повредиться.

По сравнению с проволочными тензорезисторами фольговые обладают рядом преимуществ:

  • увеличенное сцепление решетки с подложкой благодаря поперечному сечению решетки;
  • автоматизированный процесс производства благодаря методу фотолитографии.

Полупроводниковые

Полупроводниковые тензирезисоры получают вырезанием из монокристала полупроводника. Толщина полупроводника составляет 20-50 мкм.
Полупроводниковые тензорезистор обладают следующими преимуществами по сравнению с проволочными и фольговыми:

  • высокая чувствительность;
  • большой выходной сигнал.

Однако имеют ряд недостатков:

  • зависимость выходного сигнала от температуры;
  • меньший диапазон деформирования.

Основные параметры тензорезисторов

Номинальное сопротивление – сопротивление тензорезистора в ненагруженном состоянии.

Коэффициент тензочувствительности тензорезистора – отношение относительного приращения сопротивления тензорезистора к относительной деформации тензорезистора.

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Типоразмеры тензорезисторов

Стандартов на типоразмеры тензорезисторов не существует. На рисунке представлены наиболее распространенные типоразмеры тензорезисторов для измерения деформаций в различных направлениях.

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Линейные тензорезисторы состоят из одной измерительной решетки, предназначены для измерения деформации действующей только в одном направлении.

Двойные тензорезисторы состоят из двух измерительных решеток, расположенных параллельно. Предназначены для измерения деформации действующей только в одном направлении.

Розетка тензорезисторов 0/90° и Т розетка состоят из двух измерительных решеток, расположенных под углом 90°. Предназначены для измерения деформаций, действующих в двух направлениях.

Тензорезисторы в розетка 0/45/90° предназначены для измерения изгибов по двум осям.

Мембранные розетки тензирезисторов предназначены для измерения радиальных и тангенциальных деформаций, применяются в датчиках давления.

Цепочки тензорезисторов состоят из нескольких решеток расположенных на одинаковых расстояниях друг от друга на общей подложке. Предназначены для определения градиента деформации.

Применение тензорезисторов

Изменение сопротивления тензорезистора при деформации определяется следующим выражением:

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

– изменение сопротивления тензорезистора при деформации, Ом;
– сопротивление тензорезистора при отсутствии воздействия, Ом;
– коэффициент тензочувствительности тензорезистора;

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

– относительная деформация.

Относительная деформация определяется как:

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

– изменение размера тела под действием деформации, мм;
– начальный размер тела, мм.

Формула для расчета изменения сопротивления тензорезистора прием вид:

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Изменение сопротивления тензорезистора при деформации очень мало. Например, изменение сопротивления тензорезистора при измерении деформации стального стержня поперечным диаметром 10 мм, длиной 100 мм при нагрузке 10 кН с номинальным сопротивлением 150 Ом будет равно 0,048 Ом.

Измерить такие маленькие значения сопротивления непосредственным измерением проблематично. Поэтому в схемах измерения деформация применяют специальный усилитель – мост Уитстона.

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Мост уравновешен, когда напряжение на выходе Uвых=0. Это достигается при выполнении условия:

R1/R2 = R4/R3

Путем подбора номинала резисторов можно добиться равновесия моста.

Если номинальное сопротивление резисторов одинаковы R1=R2=R3=R4, то изменение выходного напряжения будет пропорционально изменению деформации тензорезистора будет определяться формулой:

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Если в плечи моста включить два тензорезистора то такой мост будет называться полумостом:

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Формула для схемы включения в противоположные плечи (левая схема):

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Формула для схемы включения в соседние плечи (правая схема):

Если в плечи моста включить тензорезисторы то такой мост будет называться полным мостом:

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Формула для схемы включения тензорезисторов в полный мост:

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Пример базовой схемы подключения тензорезисторов к АЦП AD7788 показан на рисунке:

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Тензорезисторы широко применяются в весоизмерительной технике: бытовые весы, автомобильные, железнодорожные.

Тензорезисторы используются в датчиках контроля деформации зданий и сооружений.

В датчиках измерения давления также применяют тензорезисторы.

Чувствительным элементов датчика давления является пластина из монокристаллического сапфира с кремниевыми пленочными тензорезисторами. Пластина прочно соединена с чувствительной мембраной. Давление среды воздействует на мембранный разделитель. При деформации мембранного разделителя разделительная жидкость (кремнийорганическая) воздействует на чувствительный элемент.

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Основные параметры и характеристики тензорезисторов.

Тензорезисторы характеризуются рядом параметров, основными из которых являются:

– тензочувствительность Sт;

– номинальное сопротивление R;

– допустимая деформация Едоп;

– погрешность преобразования.

Тензочувствительность материала характеризуется зависимостью

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

; R; ΔR; Δ

– длина и сопротивление тензочувствительного элемента и их приращение в следствии деформации;

m – коэффициент эластосопротивления, равный m =υΕм ;

Εм – модуль упругости образца тензочувствительного материала;

υ – продольный коэффициент пьезосопротивления.

В формуле члены 1+2

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

составляет небольшую долю от величины 1+2

достигают нескольких десятков, а поэтому ST =50÷100. Важным свойством полупроводниковых тензорезисторов является практически линейная зависимость сопротивления от деформации и температуры, поэтому отпадает необходимость применения специальных средств для компенсации нелинейности.

Номинальное сопротивление тензорезистора – сопротивление между его выводами при заданной температуре окружающей среды в отсутствии механических нагрузок.

Величины номинального сопротивления проволочных и фольговых тензорезисторов находятся в пределах 10–800 Ом, полупроводниковых – 50– 50000 Ом.

Одной из важных характеристик тензорезисторов является допустимая деформация Едоп. Её превышение приводит к появлению остаточных деформаций и даже обрыву проволочных проводников и разрушение пластины полупроводниковых преобразователей. Для тензорезисторов Едоп =3÷5∙10-3.

Максимально возможное изменение сопротивления преобразователей составляет:

Вследствие малости относительного изменения сопротивления проволочных и фольговых преобразователей возникает необходимость включения их в специальные схемы, предусматривающие усиление сигнала и компенсацию изменения сопротивления R в зависимости от других факторов. Полупроводниковые тензорезисторы имеют большой динамический диапазон изменения сопротивления и поэтому могут вырабатывать значительный сигнал, не требующий усиления.

До последнего времени методы расчёта тензорезисторов не были известны, и разработка преобразователей производилась чисто эмпирическим путём. Однако в связи с развитием квалиметрии измерительных преобразователей оказалось, что основные соотношения режима работы тензорезисторов достаточно хорошо описывается математически, и при проектировании тензорезисторов и сравнении новых типов с известными полезно проводить их расчёт.

Расчёт тензорезисторов сводится к определению при выбранных их размерах допускаемой тензорезистором мощности рассеяния (а следовательно, и допустимого значения тока при данном сопротивлении) или наоборот – к определению размеров тензорезистора, необходимых для обеспечения заданной мощности.

Мощность Р, рассеиваемая в тензорезисторе, ограничена его нагревом, вызывающим появления повышенных значений погрешности. Перегрев Θ тензорезистора по сравнению с температурой детали, на которую он наклеен, равен

где RT – тепловое сопротивление, К/Вт; S0 – площадь поверхности теплоотдачи материала резистора, м2; ξ – коэффициент теплоотдачи, Вт/(м2∙К); Руд=Р/S0 – удельная тепловая нагрузка, Вт/м2 .

При тепловом контакте тензорезистора с деталью через слой клея и подложку отводиться в 200—300 раз больший тепловой поток, чем при теплоотдаче тензорезистора в окружающий воздух. Это объясняется тем, что коэффициент теплоотдачи в воздух равен ξ= 10 Вт/(м2 ∙К). Поэтому с высокой точностью можно считать, что практически весь тепловой поток от тензорезистора отводится через слой клея в деталь, на которую он наклеен. Отсюда площадью S0 поверхности теплоотдачи для плёночных и фольговых тензорезисторов следует считать поверхность резистора, обращённую к детали, а для проволочных – с достаточно точным приближением половину цилиндрической поверхности их проволоки.

Необходимые для расчёта значения удельной тепловой нагрузки Руд=Р/S0 большинства используемых сейчас проволочных, Фольговых и полупроводниковых тензорезисторов (с мощностью от 25 до 630 мВт и полной площадью, занимаемой решёткой, от 0,9 до 250 мм2) колеблются в очень узких пределах Руд =26 ÷ 28 кВт/м2 (или мВт/мм2). Лишь в редких случаях, используя очень тонкую подложку, удаётся достичь Руд=38 ÷ 39 мВт/мм2.

Допустимое значение тока Iдоп через тензорезистор определяется из соотношения Р= I2R= РудS0. Так, например, для проволочных тензорезисторов с базой длиной

, из n проводов в решётке с диаметром d, изготовленных из материала с удельным сопротивлением ρ,

и допустимое значение тока

Для константановой проволоки ρ = 0,46∙10-6 Ом∙м, тогда при РУД=27 кВт/м2 допустимое значение тока

где IДОП в амперах и d в метрах.

Погрешности измерения тензорезисторами возникают за счёт следующих основных факторов:

– влияния температуры преобразователя на его сопротивление и линейное расширение;

– ползучести характеристики, т.е. её изменения, вызываемого остаточными деформациями в преобразователи при длительном действии значительных по величине нагрузок, близких к допустимым;

– невоспроизводимости характеристики преобразования при нагрузке и разгрузке;

– изменения крутизны характеристики преобразования от времени из-за старения материалов, особенно из-за изменения свойств клеящих компонентов;

– снижения чувствительности при увеличении частоты деформаций, когда длина распространяющейся в детали звуковой волны деформации становятся соизмеримой с базой преобразователя.

Наиболее существенное влияние на величину погрешности имеет первый фактор. Изменение сопротивления преобразователя от изменения температуры соизмеримо с изменением сопротивления от действия деформации. Температура тензорезистора зависит от температуры окружающей среды и величины тока, протекающего через резистор. Изменения температуры должно учитываться при обработки результатов путём введения коррекций или, что более желательно, автоматической компенсацией температурной погрешности. Для снижения температурной погрешности используют несколько путей:

– выбирают материал для тензорезистора с малым температурным коэффициентом линейного расширения, близким к коэффициенту расширения детали;

– применяют компенсационные преобразователи, располагаемые в непосредственной близости от однотипного рабочего, но не подвергаемы действию деформации;

– используют самокомпенсирующие тензорезисторы, состоящие из двух частей. Одна часть обладает положительным температурным коэффициентом сопротивления, вторая – отрицательным. Правильным подбором величин и температурных коэффициентов сопротивлений частей датчика добиваются высокой степени компенсации температурной погрешности. Особенно широкое применение такой способ нашёл при изготовлении полупроводниковых тензорезисторов.

Основные характеристики тензорезисторов

К основным технико-метрологическим
характеристикам тензорезисторов относятся тензочувствительность, ползучесть, механический
гистерезис, температурная нестабильность и группа динамических характеристик.

Тензочувствительность
определяется главным образом тензорезистивными свойствами материала чувствительного
элемента, однако в значительной степени зависит от конструкции преобразователя,
материала основы, вида и условий полимеризации клея и других факторов. Тензочувствительность
тензорезистора, как и самого тензорезистивного материала, определяется коэффициентом
относительной тензочувствительности K (15).

Ползучесть проявляется в виде
изменения выходного сигнала при заданном и неизмененном значении деформации и
определяется обычно как

– приведенное к входу изменение выходного сигнала при
заданной относительной деформации

. Причиной ползучести является упругое несовершенство основы
и клея. В пределах упругого диапазона деформаций ползучесть большинства тензорезисторов
не превышает 1-1,5% за 6 ч.

Температурная нестабильность, или
влияние температуры окружающей среды на основные параметры тензорезисторов, заключается,
с одной стороны, в изменении сопротивления тензорезистора за счет его ТКС, а с
другой – в появлении дополнительных механических напряжений вследствие различия
в температурных коэффициентах линейного расширения материала тензорезистора и
исследуемой детали.

Основной динамической характеристикой тензорезисторов
является их собственная частота, значение которой для наклеенных тензорезисторов
лежит в пределах 100-300 кГц. Собственная частота тензорезистора определяет предельную
частоту исследуемого процесса, при которой частотными погрешностями можно пренебречь.
Для исследований переменных деформаций обычно выбирают тензорезистивный преобразователь,
собственная частота которого хотя бы в 5-10 раз превышала частоту деформаций.

Важным
параметром тензорезисторов является допустимая мощность, которая может рассеиваться
в тензорезисторе при условии, что его перегрев не превысит допустимого значения.
Допустимая мощность тензорезистора находится в определенной зависимости от его
геометрических размеров, что может использоваться как при определении для известных
тензорезисторов, так и при определении геометрических размеров проектируемых преобразователей,
исходя из заданной допустимой мощности или допустимого значения измерительного
тока.

3. Оборудование, используемое при
выполнении лабораторной работы.

Рис. 3. Структурная схема тензометрической установки для измерения усилий

Д
– датчик силоизмерительный резистивный 1778 ДСТ К 1,5-0,4 (далее – просто датчик);

УПТ
– усилитель постоянного тока;

ИП – источник постоянного тока;

V
– вольтметр постоянного тока.

Измеряемое усилие P воздействует на упругий
элемент датчика Д, из-за этого меняется сопротивление тензорезисторов, и, как
следствие этого, напряжение постоянного тока на выходе датчика.

3.1. Технические
характеристики силоизмерительного датчика.

Датчик предназначен для получения
информации о величине измеряемых статических или медленно меняющихся усилий сжатия
или растяжения. Его основными частями являются упругий элемент и наклеенные на
него тензорезисторы.

Датчик обеспечивает свои метрологические характеристики
при эксплуатации в рабочих условиях с температурой от минус 50 до плюс 50 °С,
атмосферном давлении от 630 до 800 мм рт. ст. и напряжении питания постоянным
электрическим током не более 12В.

Одним из основных параметров датчика
является рабочий коэффициент передачи – отношение напряжения выходного сигнала
в мВ к напряжению питания в В при номинальной нагрузке. Номинальная нагрузка датчика
– 1,5 тс (1,5 кН). Рабочий коэффициент передачи (РКП) – 1,5 мВ/В. Категория точности
– 0,4.

Начальное значение коэффициента передачи (НКП) датчика должно быть
не более 2,5% РПК.

Нижний предел измерения датчика должен быть не более
20% от номинальной нагрузки. Датчик должен быть устойчив к нагрузке, на 25% превышающую
номинальную, воздействующую непрерывно в течение не менее двух часов.

При прохождении постоянной составляющей коллекторного тока Iк по сопротивлению
Rк на последнем возникает падение напряжения. Поэтому величина напряжения
на коллекторе транзистора Uкэ относительно эмиттера равна разности напряжений
источника питания и падения напряжения на резисторе Rк, т. е. Uкэ=Eп–IкRк.
Эта формула показывает, что максимальному значению тока коллектора будет соответствовать
минимальное напряжение на коллекторе и наоборот. Рабочая точка или точка покоя
транзистора задается пересечением выходной динамической характеристики по
постоянному току (или, другими словами, нагрузочной прямой по постоянному
току) с одной из статических коллекторных (выходных) характеристик транзистора
(на рис. 7.7  эта точка обозначена буквой П). Наклон выходной динамической
характеристики по постоянному току, которая, как следует из рисунка, пересекает
оси Iк и Uкэ в точках Еп/Rк и Еп соответственно, зависит от величины коллекторного
сопротивления: чем больше Rк, тем меньше угол . Для определения нужной кривой семейства статических характеристик
необходимо знать ток базы в рабочей точке Iбп. Порядок нахождения тока Iбп
будет описан ниже.

Если на входе каскада действует переменный сигнал достаточно низкой частоты,
то точки пересечения максимального и минимального значений тока базы Iб макс
и Iб мин с нагрузочной прямой определяют значения напряжения на выходе
транзистора. При этом максимальному току базы Iб макс соответствует максимальное
значение тока в цепи коллектора и минимальное напряжение между коллектором и
эмиттером. При минимальном значении тока базы Iб мин ток коллектора будет
также минимальным, а напряжение между коллектором и эмиттером – максимальным.
Из сказанного выше следует, что схема с ОЭ инвертирует усиливаемый сигнал.

Существенное значение при исследовании работы УННЧ имеет выбор схемы термостабилизации.
Необходимость стабилизации работы усилительного элемента связана с изменением
обратного тока коллектора

, который, например, для германиевых транзисторов примерно
удваивается при увеличении температуры на каждые 10 С. При этом начальная рабочая точка транзистора смещается,
что может привести к возникновению нелинейных искажений. Изменение положения
рабочей точки также ведет к изменению входного и выходного сопротивления усилителя
и его амплитудной характеристики. Поэтому необходимо стабилизировать начальную
рабочую точку усилительного элемента.

Наиболее распространенная схема эмиттерной термостабилизации представлена
на рис. 7.8. Здесь для стабилизации рабочей точки введена отрицательная
обратная связь по току, для чего в цепь эмиттера включено сопротивление Rэ.
Резистивный делитель R1, R2 предназначен для поддержания неизменным потенциала
на базе транзистора, причем номиналы данных резисторов выбираются так, чтобы
ток, протекающий через делитель, был в несколько раз больше тока базы. Допустим,
что ток Iк увеличился из-за увеличения температуры. Вместе с ним увеличивается
и ток эмиттера Iэ, т. к. эти токи связаны между собой равенством Iэ=Iк+Iб.
Увеличение тока эмиттера приводит к увеличению падения напряжения на сопротивлении
Rэ. При неизменном потенциале базы это ведет к уменьшению разности потенциалов
на переходе база–эмиттер. Для иллюстрации вышесказанного на рис. 7.9
стрелками показаны величины напряжений на электродах транзистора при нормальной
температуре (рис. 7.9 а) и при увеличении температуры (рис. 7.9 б).

Уменьшение напряжения на переходе база–эмиттер приводит к уменьшению тока базы
и далее к уменьшению тока коллектора. В итоге происходит компенсация начального
увеличения тока Iк. Однако, введение сопротивления Rэ ведет не только к стабилизации
положения рабочей точки, но и к уменьшению коэффициента усиления K из-за влияния
отрицательной обратной связи по переменной составляющей коллекторного тока.
Чтобы избежать этого, сопротивление Rэ блокируется по переменной составляющей
конденсатором большой емкости Сэ, который шунтирует Rэ по переменному току (рис. 7.8).
Приближенно величина конденсатора может быть выбрана из условия

, где н – наименьшая частота
в спектре усиливаемого сигнала.

Принцип работы тензорезистора

При деформации объекта измерения эта деформация передается резистивной проволоке или резистивной фольге тензорезистора через его основание (подложку). В результате сопротивление проволоки или фольги изменяется. Это изменение точно пропорционально деформации,что отражает следующее уравнение:

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Если R=R1=R2=R3=R4, сопротивление тензорезистора, из-за деформации, меняется и становится равным R+ΔR. Таким образом, изменение выходного напряжения Δe из-за деформации задается следующим выражением:

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

При измерении деформации с помощью тензорезистора, он подключается к измерительному прибору, называемому тензометром. Тензометр содержит мост Уитстона и подает напряжение возбуждения. Измеренное значение деформации отображается на цифровом дисплее и/или выводится в виде аналоговых сигналов.

Больше информации

Тензорезистор состоит из решетки, выполненной из тонкой проволоки или металлической фольги, уложенной на изоляционную подложку, и подсоединенных выводов тензорезистора.

Характеристики тензорезисторов и Основные параметры и характеристики тензорезисторов

Читайте также:  В челябинске перед судом предстал крупный медиаменеджер

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *